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STMicroelectronics

STH80N10F7-2

工場モデル STH80N10F7-2
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
パッケージ H2Pak-2
株式 5327 pcs
データシート STx80N10F7,STH80N10F7-2Mult Dev OBS 2/Apr/2020STripFET 21/Jul/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5327のSTMicroelectronics STH80N10F7-2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ H2Pak-2
シリーズ DeepGATE™, STripFET™ VII
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 9.5mOhm @ 40A, 10V
電力消費（最大） 110W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3100 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 45 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 STH80N

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